Analiza circuitelor analogice pentru microelectronică utilizând tranzistoare MOS și bipolare utilizând instrumente software de simulare adecvate.
Sunt evidențiate arhitecturi de amplificatoare cu reacție negativă și oscilatoare clasice, referințe de curent și referințe de tensiune, analizând detaliat referința Brokaw și tehnicile de compensare PTAT și CTAT.
Sunt evidențiate arhitecturi de amplificatoare cu reacție negativă și oscilatoare clasice, referințe de curent și referințe de tensiune, analizând detaliat referința Brokaw și tehnicile de compensare PTAT și CTAT.
- Profesor: Lidia DOBRESCU
- Enseignant: Dragos DOBRESCU
Obiectivul general al disciplinei constă în:
Prezentarea modelelor avansate pentru tranzistoare MOS, evidențierea unor tipuri constructive speciale, soluții avansate de proiectare, tehnologii de vârf și implementarea parametrilor specifici in modele.
Acesta poste fi realizat prin:
- Evidenţierea şi descrierea parametrilor specifici ai modelelor avansate pentru tranzistoare MOS;
- Prezentarea unor tipuri speciale de tranzistoare MOS:
- Prezentarea unor soluții avansate de proiectare pentru dispozitive și circuite MOS;
- Prezentarea unor tehnologii de vârf in domeniul tranzistoarelor MOS cu dimensiuni submicronice;
- Prezentarea comparativă a mediilor de modelare și simulare. Comparații, evidențierea unor avantaje și dezavantaje;
- Prezentarea tendințelor moderne în modelarea tranzistoarelor MOS;
- Aplicarea practică a modelelor pentru tranzistoare MOS
Prezentarea modelelor avansate pentru tranzistoare MOS, evidențierea unor tipuri constructive speciale, soluții avansate de proiectare, tehnologii de vârf și implementarea parametrilor specifici in modele.
Acesta poste fi realizat prin:
- Evidenţierea şi descrierea parametrilor specifici ai modelelor avansate pentru tranzistoare MOS;
- Prezentarea unor tipuri speciale de tranzistoare MOS:
- Prezentarea unor soluții avansate de proiectare pentru dispozitive și circuite MOS;
- Prezentarea unor tehnologii de vârf in domeniul tranzistoarelor MOS cu dimensiuni submicronice;
- Prezentarea comparativă a mediilor de modelare și simulare. Comparații, evidențierea unor avantaje și dezavantaje;
- Prezentarea tendințelor moderne în modelarea tranzistoarelor MOS;
- Aplicarea practică a modelelor pentru tranzistoare MOS
- Profesor: Lidia DOBRESCU